HBM3E är den femte generationen av minneskuber som förutom att de för varje generation rymmer fler bitar också får snabbare bussar. Den totala minnesbandbredden har lyft till 1,18 Tbyte/s i HBM3E från 819 Gbyte/s i HBM3.

Även värmeavledningen har förbättrats, med så mycket som 10 procent, enligt SK Hynix.

Minnet finns i två varianter med åtta eller tolv DRAM-chip på 24 Gbit vardera. Dessa har staplats på varandra och kopplats ihop med viahål genom kislet, även kallat TSV, through-silicon vias. Det ger en minneskub på totalt 24 eller 36 Gbyte.

Vilken av dessa som nu är i volymproduktion, eller om det är båda, framgår inte av SK Hynix pressmeddelande. Konkurrenten Samsung har nyligen börjat sampla tolvlagers-HBM3E-minnen och ska inleda volymproduktion under första halvåret.

Tillsammans har de två koreanska företagen runt 90 procent av marknaden för minneskuber medan amerikanska Micron har en enprocentig andel.

Tillämpningarna är framförallt AI och Nvidia pekas ut som den hetaste kunden.